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| BLC10G22XS-400AVT | BLC10G22XS-551AVT | BLC10G22XS-551AVTZ |
| BLC10G22XS-602AVTZ |
功率LDMOS晶體管BLC10G22XS-400AVT：
400 W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2200 MHz的基站應用。
功率LDMOS晶體管BLC10G22XS-551AVT：
550W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2100 MHz至2200 MHz的基站應用。
功率LDMOS晶體管BLC10G22XS-602AVT：
600W LDMOS封裝非對稱Doherty功率晶體管，適用于頻率為2110 MHz至2170 MHz的基站應用。
特點和優勢：
· 出色的堅固性
· 高效率
· 低熱阻，提供出色的熱穩定性
· 更低的輸出電容，可提高 Doherty 應用的性能
· 專為低記憶效應而設計，提供出色的數字預失真能力
· 內部匹配，易于使用
· 集成ESD保護
應用：
射頻功率放大器，適用于2110 MHz至2200 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用。
