Linear Systems的SD210DE/SD214DE和SST210/SST214 N-Channel Lateral DMOS開關
發布時間:2024-12-02 09:28:52 瀏覽:1274
Linear Integrated Systems(LIS)的SD210DE/214和SST210/214系列N-Channel Lateral DMOS Switch是為高速應用設計的高性能MOSFETs,適用于音頻、視頻和高頻領域。
PART NUMBER | VoRjos Min (V) | Vcsjth Max (V) | rDsjon Max(Q | Crss Max(pF) | ton Max(ns) |
SD210DE | 30 | 1.5 | 45@Vgs=10V | 0.5 | 2 |
SD214DE | 20 | 1.5 | 45 @Vcs=10V | 0.5 | 2 |
SST210 | 30 | 1.5 | 50@Vcs=10V | 0.5 | 2 |
SST214 | 20 | 1.5 | 50@Vgs=10V | 0.5 | 2 |
核心特性
極速切換:1納秒的開啟時間,實現快速響應。
低電容:0.2皮法的反向電容,優化高頻性能。
低電阻:在5V時的低導通電阻,提高能效。
增強模式:N-Channel設計,簡化驅動電路。
性能優勢
高速性能:支持高速系統,減少信號損失。
低損耗:在高頻下保持低插入損耗。
易驅動:簡單的驅動要求,適合單電源操作。
應用場景
模擬開關:快速切換模擬信號。
采樣保持:高速采樣和保持電路。
圖像處理:像素速率切換。
DAC去抖動:數字模擬轉換器的去抖動。
信號驅動:高速信號驅動。
技術參數
擊穿電壓:20V至30V,提供過壓保護。
閾值電壓:最大1.5V,確保低功耗。
導通電阻:在10V柵源電壓下,最大45Ω。
開關時間:開啟時間0.5ns至1ns,關閉時間2ns至6ns。
環境適應性
工作溫度:-55°C至125°C。
功耗:最大300mW。
動態性能
正向跨導:典型值11mS至10.5mS。
節點電容:低至2.5pF。
結論
SD210DE/214和SST210/214系列MOSFETs以其高速切換、低損耗和寬電壓范圍,成為高速電子應用的理想選擇。無論是在音頻、視頻還是高頻應用中,這些MOSFETs都能提供穩定可靠的性能。LIS,一家擁有三十多年歷史的精密半導體公司,以其高質量的離散組件和豐富的行業經驗,確保了這些產品的性能和可靠性。
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