Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器
發布時間:2024-10-22 08:57:02 瀏覽:455
一、產品特點
1. 采用堅固MOS結構。
2. 允許多個線焊點,A型外殼最少可接受7個焊點,B型外殼最少可接受15個焊點。
3. 低介電損耗(D),高Q值,且負載壽命穩定性出色。
二、關鍵優勢
1. 絕對容差低至±5%。
2. 溫度系數低至±50ppm/°C。
3. 具備堅固MOS結構,兩種外殼尺寸(120 x 35 mils和240 x 35 mils)均支持多次線焊(A型外殼最少7個焊點,B型外殼最少15個焊點),且負載壽命穩定性出色。
三、應用領域
1. 混合組裝。
2. 低通LC、RC或LRC濾波器。
3. 直流供電的射頻阻斷。
4. 阻抗匹配。
5. SiC或GaN高頻/高功率應用。
四、電氣規格
1. 電容范圍:5 - 100pF。
2. 1kHz下絕對容差:±5%; -55°C至125°C絕對溫度系數:±50ppm/°C。
3. 工作溫度:-55至+150°C;最大工作電壓:100V。
4. 1MHz下介電損耗因數最大為0.01。
5. 1kHz、1000小時、70°C、100VDC下絕對值穩定性:±0.25%;
額定電壓2倍、25°C、5秒短時間過載:±0.25%;
按MIL - STD - 202方法107F熱沖擊:±0.25%;
按MIL - STD - 202方法106*耐濕性:±0.25%;
100小時、150°C高溫暴露:±0.25%;
-65°C、45分鐘、100VDC低溫操作:±0.25%。
五、機械規格
1. 芯片基板材料為硅;介質為二氧化硅。
2. 頂部覆蓋層為至少1微米厚的金。
3. 外殼尺寸見“外殼尺寸值和公差”表;無鈍化。
4. 焊盤數量為1;背面覆蓋層(僅限環氧樹脂)為TiW/Au。
訂購指南:
型號:
BRCPBKITO1
BRCPAKIT01
BRCPA9500BKGHWS
BRCPA8500BKGHWS
BRCPA8000BKGHWS
BRCPA7500CKGHWS
BRCPA6500CKGHWS
BRCPA7000BKGHWS
BRCPB5500BKGHWS
BRCPB2500BKGHWS
BRCPA2750BKGHWS
BRCPA2500BKGHWS
BRCPA2250BKGHWS
BRCPA2000BKGHWS
BRCPA1750BKGHWS
BRCPA1500BKGHWS
BRCPA1300BKGHWS
BRCPA1250BKGHWS
BRCPA1000BKGHWS
BRCPA1000AKGHWS
BRCPA3000BKGHWS
BRCPA9000BKGHWS
BRCPA3750BKGHWS
BRCPA4000BKGHWS
BRCPA6500BKGHWS
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