SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發布時間:2024-07-03 09:18:47 瀏覽:954
Solitron Devices SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET的主要特點和技術規格如下:
高阻斷電壓與低通態電阻:該MOSFET具有高達1200V的阻斷電壓(Vs = 1200V),并且具有低通態電阻(Ros(on) = 50 mΩ),這意味著在開關狀態切換時能夠減小功耗,提高效率。
高速開關與低電容:SD11721適合高速開關應用,并且具有低電容特性,這有助于減少開關過程中的能量損失。
高操作結溫能力:該MOSFET能夠在高溫環境下工作,其操作結溫范圍達到-55℃至+175℃。
快速而健壯的內置體二極管:這是該MOSFET的一個重要特點,能夠快速且有效地處理反向電流。
優化的塑料封裝:采用TO-247-4塑料封裝,具有優化的封裝設計和分離的驅動源引腳(4-G),以及8mm的漏極和源極之間的爬電距離(creepage distance),確保了在高溫和高濕等惡劣環境下的穩定性和可靠性。
應用廣泛:SD11721適用于多種應用,包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電機驅動器、高壓DC/DC轉換器以及開關模式電源等。
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