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Solitron Devices SD11740超低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2024-02-05 12:06:18     瀏覽:780

  Solitron Devices 推出的SD11740是1200V 碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。

Solitron Devices SD11740超低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET

  作為對高可靠性/軍事應(yīng)用的高壓MOSFET的強(qiáng)大供應(yīng)的補(bǔ)充,Solitron正在擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品供應(yīng),以滿足要求苛刻的商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用。該SD11740采用 SOT-227 封裝,提供 8.6mΩ 的超低 RDS(on)。

  SOT-227 型封裝的加入使 Solitron 的 SiC 產(chǎn)品能夠在電動汽車、功率控制器、電機(jī)驅(qū)動、感應(yīng)加熱、固態(tài)斷路器和高壓電源中實(shí)現(xiàn)更高功率的應(yīng)用。該SD11740提供 120A 的連續(xù)漏極電流。SOT-227 與銅散熱器基座具有 3kV 隔離功能,可實(shí)現(xiàn)出色的低熱阻。該器件提供真正的開爾文柵極連接,以實(shí)現(xiàn)最佳柵極控制。任一發(fā)射極端子均可用作主發(fā)射器或開爾文發(fā)射器。

  該SD11740設(shè)計(jì)用作功率半導(dǎo)體開關(guān),其性能優(yōu)于硅基MOSFET和IGBT。標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許真正直接替代硅IGBTS和MOSFET,具有更優(yōu)越的性能。超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性使它們非常適合開關(guān)感性負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

  關(guān)鍵特性

  I D = 100A

  RDS(ON) = 8.6mΩ

  低柵極電荷

  開爾文源

  SOT 227B

  好處

  無熱失控的并聯(lián)裝置

  更高的系統(tǒng)效率

  出色的反向采收率

  應(yīng)用

  高效率的轉(zhuǎn)換器和馬達(dá)驅(qū)動

  電力供應(yīng)

  電池充電器

  太陽能逆變器

  感應(yīng)加熱

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