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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  RO3200?層壓板Rogers 2023-04-07 17:02:01

  RO3200?層壓板材質(zhì)是RO3000?系列產(chǎn)品延展，通過(guò)利用玻璃纖維布強(qiáng)化后，產(chǎn)品具備更優(yōu)質(zhì)的機(jī)械穩(wěn)定性。相對(duì)介電常數(shù)(Dk)和損耗因子特性拓展到更多的實(shí)用性頻率范圍，提供出色的電氣特性。